芯片解密之SST39VF6402BIC解密
SST39VF6402B特点：
。有组织的分x16
。单电压读取和写入操作
- 2.7至3.6V
。优越的可靠性
- 耐久性：100,000次（典型）
- 大于100年的数据保存
。低功耗（在5兆赫的典型值）
- 工作电流：10 mA（典型）
- 待机电流：3μA（典型值）
- 自动低功耗模式：3μA（典型值）
。硬件Block-Protection/WP＃输入引脚
- 顶块保护（前32 KWord中）
。扇区擦除能力
- 2 KWord的部门统一
。块擦除功能
- 统一32 KWord的块
。芯片擦除功能
。 Erase-Suspend/Erase-Resume能力
。硬件复位引脚（RST＃）
。安全，身份识别功能
- 海温：128位;用户：128位
。快速读取时间：
- 70纳秒
- 90纳秒
。锁存地址和数据
。快速擦除和Word的程序：
- 扇区擦除时间：18毫秒（典型）
- 块擦除时间：18毫秒（典型）
- 芯片擦除时间：40毫秒（典型）
- Word的程序时间：7微秒（典型）
。自动写时序
- 内部交流在线生成
。终了写检测
- 触发位
- 数据＃投票
。的CMOS I / O兼容性
。 JEDEC标准
- 闪存EEPROM的管脚定义
- 软件命令序列的兼容性
- 地址格式为11位中，A10，累啊
- 块擦除第六总线写周期为30h内
- 扇区擦除第六总线写周期50H
。封装
- 48引脚的TSOP（12毫米x 20毫米）
- 48球TFBGA（8毫米× 10毫米
。有组织的分x16
。单电压读取和写入操作
- 2.7至3.6V
。优越的可靠性
- 耐久性：100,000次（典型）
- 大于100年的数据保存
。低功耗（在5兆赫的典型值）
- 工作电流：10 mA（典型）
- 待机电流：3μA（典型值）
- 自动低功耗模式：3μA（典型值）
。硬件Block-Protection/WP＃输入引脚
- 顶块保护（前32 KWord中）
。扇区擦除能力
- 2 KWord的部门统一
。块擦除功能
- 统一32 KWord的块
。芯片擦除功能
。 Erase-Suspend/Erase-Resume能力
。硬件复位引脚（RST＃）
。安全，身份识别功能
- 海温：128位;用户：128位
。快速读取时间：
- 70纳秒
- 90纳秒
。锁存地址和数据
。快速擦除和Word的程序：
- 扇区擦除时间：18毫秒（典型）
- 块擦除时间：18毫秒（典型）
- 芯片擦除时间：40毫秒（典型）
- Word的程序时间：7微秒（典型）
。自动写时序
- 内部交流在线生成
。终了写检测
- 触发位
- 数据＃投票
。的CMOS I / O兼容性
。 JEDEC标准
- 闪存EEPROM的管脚定义
- 软件命令序列的兼容性
- 地址格式为11位中，A10，累啊
- 块擦除第六总线写周期为30h内
- 扇区擦除第六总线写周期50H
。封装
- 48引脚的TSOP（12毫米x 20毫米）
- 48球TFBGA（8毫米× 10毫米
